Инженеры РТУ МИРЭА ускорили обработку сапфира в несколько раз

Специалисты Инжинирингового центра РТУ МИРЭА оптимизировали шлифование монокристаллического сапфира, перейдя от свободного абразива к связанному алмазному инструменту. Это позволило увеличить скорость съёма материала до 6,5 раз, сократить глубину дефектного слоя на 30–40% и снизить шероховатость до менее 0,07 мкм. Разработка критически важна для производства подложек светодиодов, лазеров и СВЧ-микроэлектроники. Об этом сообщает научный портал «Научная Россия».